第一千零一十二章 綁架心起

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“矽基半導體的未來是可預計的，但我們之前的投入不能就此擱淺，所以我們並沒有停止追求在保持器件特性的同時，進一步降低故障率。

作為技術供應商，我們一直在尋找透過新裝置獲得更高效能的方法，同時我們也在調整晶圓廠的製造工藝。

在晶圓廠中，我們對平面柵極和溝槽柵極功率使用了許多創新的工藝步驟，創新也就意味著錯誤繁多、相容難做，有時候一個技術點的差異就會導致整塊晶圓報廢。

比如更厚、更輕摻雜的堆疊，支援更高的擊穿電壓，但導通電阻增加。

所以為了在器件上形成溝槽，某些情況下，溝槽尺寸被我們做到了1μm（微米）甚至更小的程度。

為了形成溝槽，我們必須要在器件上沉積另一個掩模層，並且在其中注入摻雜劑。

溝槽被圖桉化，然後被蝕刻，由於溝槽填充有柵極材料，所以最後形成源極和漏極。

這些步驟每一步都極為重要，需要感謝的是我們大夏官方某蝕刻研究院提供的技術支援，讓我們用上了世界上最頂尖的蝕刻技術。”

從晶圓到切晶圓、蝕刻、光刻搞晶片，到後面，顧青甚至為這些科技公司的高層們講解起自家九州科技公司對部分半導體晶片問題的解決方向和具體方案。

“西方所謂的3d立體晶片與我們之前的堆疊晶片其實是一個東西，就像是修房子一樣一層層的把晶片疊起來，從一套一套的平房堆疊成數層樓的居民樓房。

一顆晶片能夠做到的事情是有限的，它的效能也是固定的，多顆晶片平面展開安裝的話，雖然能夠把整體處理器的效能提升上去，但是卻會導致處理器核心的晶片模板面積過大，線頭介面太多，容易引發故障。

而3d立體晶片與我們的堆疊晶片就可以把晶片一片片的堆疊起來，在同樣的面積下，實現更強大的效能。

只不過這種技術會導致晶片散熱問題極難解決，晶片一旦出了問題，就必須更換處理器，不存在讓消費者換單一晶片的可能性。

而且3d堆疊結構的處理器對半導體晶片的穩定性也有極大的考驗，在安裝和使用過程中，一次顛簸搖晃就可能造成晶片故障。

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那群西方科技公司搞的晶片技術，我們公司半導體工程師們都有研究，此次我們對外合作的矽基半導體技術，就完全可以勝任堆疊晶片技術，基本上可以做出領先西方科技公司晶片至少三代的晶片產品。

合作方如果想更進一步自己參與，還可以聯絡溝通上下游其他使用我司技術的科技公司，自行研發結構和設計，雖然在短期內不會有十分強大的晶片產生，但是隻要掌握了規律和方法，那麼完全可以做到三年更換一次結構，甚至兩年就升級一次結構的進度。

只不過我還是希望合作方們能夠先做好學生，好好學習，之後有了足夠的基礎和經驗，再自己進行研發設計，而且設計晶片這一專案也是需要一個足夠強大的工程師團隊來完成的。

目前國內外企業、研究機構甚至是官方組織都對這一行業的學生、導師、在職工作人員有極為旺盛的渴求。

對這專案有想法的朋友，最好可以和國內高校聯絡溝通清楚，畢竟我司的技術是不可能在未透過申報稽核審批的情況下傳到國外的，哪怕是去國內公司的海外分部，其掌握我司技術的人員都需要每次打報告申請才行。”

憑心而論，顧青講的很認真，甚至可以說在很多專案上都沒有藏私，不僅把技術優缺點說得清清楚楚，還把專案特殊性公開的明明白白。